星元晶算发布1nm芯片路线图:抢跑下一代算力供给能力

2026年4月9日,AI芯片创新企业星元晶算对外正式发布面向2030年的1nm级芯片技术路线图。

此次规划以“架构代制程”为核心策略,摒弃单纯依赖光刻微缩的传统思路,通过堆叠、光直连、二维材料层嵌入、全异质集成等多种工程方法的组合,在现有工艺基础上达成等效算力突破,清晰勾勒出分阶段技术演进蓝图,旨在抢跑下一代算力供给赛道,破解行业算力瓶颈。

其远期目标锁定在2030年前后,构建起支撑10太瓦(TW)量级AI集群的等效算力供给体系,其算力密度与能效比预期将达到马斯克Terafab计划初期指标的10倍以上。

星元晶算发布1nm芯片路线图:抢跑下一代算力供给能力

核心策略:以“架构代制程”破局,抢占算力供给先机

先进异构集成高能效算力芯片面临的不仅是光刻精度问题,还包括散热、量子隧穿、材料特性、环境控制、良率、EDA工具等多重物理与工程瓶颈,没有任何一家企业能在每个环节都自主突破——尤其是在EUV光刻面临物理极限、成本高企的当下,单纯依赖光刻微缩已难以满足下一代算力供给的迫切需求。

星元晶算负责人强调,“我们选择不硬啃每一根骨头,而是用架构的智慧把能用的技术组合起来,以架构代制程达成换道超车,不追求单一工艺节点的数字缩小,而是在可落地的技术边界内达成等效算力性能,提前布局下一代算力供给能力。”

业界共识显示,先进算力芯片的底层逻辑并非单纯缩小线宽,而是持续提升单位面积的算力性能,传统硅基路线从FinFET到GAA再到CFET已接近物理极限,二维半导体成为1nm及以下节点的材料必然选择。

星元晶算的“架构代制程”策略,正是将二维材料与3D堆叠、光直连等工程方法深度耦合,用系统级设计弥补单点工艺不足,为下一代算力供给提供可行路径。

全链条技术路径:双轨并行,分阶夯实算力供给基础

星元晶算的技术路线图,以二维半导体材料与组合工程方法为双起点,规划了两条并行的技术路径,逐步推进工艺升级与算力规模拓展,各阶段规划均结合专家论证与产业实际制定,兼具前瞻性与可行性。

其中,短期依托二维半导体材料的前沿成果,快速启动工程化验证;长期依托堆叠、光直连、二维材料层嵌入、全异质集成等方向,以预研和内部验证方式稳步推进,两条路线共享基础研究成果,互为备份。

这一分阶段规划贴合行业技术发展规律,既避免了陷入“单点突破”的幻想,也确保了每一项工程方法都能在现有技术基础上快速闭环,与国际前沿的技术演进思路高度契合,更通过阶梯式推进,确保下一代算力供给能力稳步提升、提前落地。

开放合作模式:发起创新平台,汇聚共研力量,加速算力供给突破

先进异构集成高能效算力芯片的研发涉及材料、器件、封装、架构、软件等多个维度,单一企业无法包揽所有环节——尤其在先进封装、EDA工具等算力供给关键环节,需要产业链协同发力。星元晶算联合产业链伙伴,将学术界的前沿突破转化为可工程化的技术模块,再通过架构组合形成系统级解决方案,不搞“闭门造车”,而是依托产业链协同达成技术快速落地,为下一代算力供给抢占时间先机。

在此基础上,星元晶算发起“端侧AI算力开放创新平台”倡议,诚邀二维半导体材料供应商、封装厂、设备商、EDA工具商、IP供应商及高校研究机构共同参与,汇聚产学研用力量,聚焦算力供给相关技术突破。

目前,已与多家国内外顶尖学术团队建立初步沟通,探讨联合研发、技术许可或顾问聘任等合作模式,学术界在超短沟道器件、晶圆级材料均匀生长、柔性存算一体芯片等方面的突破,为公司提供了关键技术参照;同时在堆叠、光直连、异质集成等工程方向,积极与封装厂、设备商合作,确保每一项工程方法都有明确的产业化落地路径,为算力供给能力快速提升提供保障。

长期主义布局:动态调整,锚定自主可控,巩固算力供给领先地位

星元晶算秉持长期主义布局,此次发布的1nm芯片路线图以“抢跑下一代算力供给能力”为核心导向,锚定自主可控目标,并非刻板的时间规划,而是面向2030年的动态推进方案。

面对多重技术瓶颈,公司摒弃盲目追新、急于求成的心态,在攻坚核心技术的同时,通过系统级架构创新组合成熟与前沿技术,规避“单点突破”误区,路线图各阶段节点将根据技术突破、产业链成熟度及合作进展动态调整,优先落地贴近现有技术基础的方案,稳步夯实根基,确保算力供给能力稳步提升、提前兑现。

立足中国产业实际,星元晶算以“架构代制程”为核心、全链条自主化为目标、开放合作为路径,为突破先进制程瓶颈、达成AI芯片自主可控提供了可落地路径。

目前,核心研发团队加速组建、产学研协同力量持续汇聚,随着共研深化,先进异构集成高能效算力芯片技术落地进程将持续加快,推动中国AI芯片产业自主化迎来新突破,让下一代算力供给的“中国方案”落地生根。

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